UVA波长紫外线灯功率1KW

a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面；2.硬接触 是将基片通过一个气压（氮气），往上顶，使之与掩膜接触；3.真空接触 是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合（想一想把被子抽真空放置的方式）软半导体紫外线灯，创新科技的精细投射。UVA波长紫外线灯功率1KW

制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜的视场，许多光刻机，采用了LED照明。对准系统共有两套，具备调焦功能。主要就是由双目双视场对准显微镜主体、目镜和物镜各1对（光刻机通常会提供不同放大倍率的目镜和物镜供用户组合使用）。CCD对准系统作用是将掩模和样片的对准标记放大并成像于监视器上。工件台顾名思义就是放工件的平台，光刻工艺主要的工件就是掩模和基片。杀菌用紫外线灯ONL-12000B型号：Nikon NSR-I12 ，应用于生产线，是6英寸，8英寸 i线光刻胶的曝光，曝光精度准，解析力可达350NM。

光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：**的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，**光刻机号称世界上**精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。极紫外光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的半导体光刻机）和日本Canon三大品牌为主。

超高圧水銀Lampは均一・平行光源として豊富な実績のあるマルチライトシリーズの基本構成はそのままに波長230nm～450nmのDeepUV領域に適化した光源ユニットです。リソグラフィー用途はもちろん、表面改質光源、各種光化学反応評価光源としても応用頂けます。光源:250W 超高圧UVランプ,露光エリア:φ135mm,波長領域:230nm～450nm,初期照度:16mW/cm2以上,照度均一度:±5%以内,本体外形寸法(mm):224(W)×521(D)×417(H),電源外形寸法（mm):180(W)×300(D)×360(H).在黑暗中寻找光明，超高压汞灯、金属卤素灯，紫外线灯为你指明方向。

工件台为光刻机的一个关键，由掩模样片整体运动台（XY）、掩模样片相对运动台（XY）、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。其中，样片调平机构包括球座和半球。调平过程中首先对球座和半球通上压力空气，再通过调焦手轮，使球座、半球、样片向上运动，使样片与掩模相靠而找平样片，然后对二位三通电磁阀将球座和半球切换为真空进行锁紧而保持调平状态。样片调焦机构由调焦手轮、杠杆机构和上升直线导轨等组成，调平上升过程初步调焦，调平完成锁紧球气浮后，样片和掩模之间会产生一定的间隙，因此必须进行微调焦。另一方面，调平完成进行对准，必须分离一定的对准间隙，也需要进行微调焦。抽拉掩模台主要用于快速上下片，由燕尾导轨、定位挡块和锁紧手轮组成。承片台和掩模夹是根据不同的样片和掩模尺寸而进行设计的。高效节能，超高压汞灯照亮你的工业世界。FX-66S紫外线灯

i线步进式光刻机NSR-2205i11 SHRINC3,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2002A-1。UVA波长紫外线灯功率1KW

オーク製作所

紫外線光量計(Made in japan)

用途:OLED,LED,PCB,IC，LCD工厂，封装工艺中密封框胶水的固化。

特长：紫外线光固化，低能耗，无污染，高效率。

配合光量计，测量365nm峰值波长紫外线灯照度大小。

型番:UV-351

規格:測定波長:310～385nm

測定照度範囲:0.1～100ｍW/cm²

測定光量範囲:1～19999mJ/cm²

繰り返し精度:±1.5%以内

標準構成:

①光量计本体UV-351

②减光filter

③纽扣锂电池

④螺丝刀₋

⑤螺丝刀＋

⑥操作说明书

⑦除尘布

⑧收纳箱 UVA波长紫外线灯功率1KW